采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
