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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT560ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:112pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:715mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订42个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订42个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-E3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6P02R2G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD6P02R2G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD6P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@16V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2307BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT560ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:112pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:715mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75208W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2P沟道(双)共源

    导通电阻:68mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订679个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4820NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4820NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":25350,"10+":7987,"11+":1197,"12+":20881,"15+":1319,"16+":489,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4820NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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