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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
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功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
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输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E135BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3E095BNGZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：9.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH070P05GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：47.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6JA2TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
