销售单位:个
规格型号(MPN):AO6405
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6405
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6405
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3457CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7A€18.2A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: