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    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 800mW
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@75V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075U-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075U-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2075U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS7N03R2G 起订521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS7N03R2G 起订521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4150,"21+":4045}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS7N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订487个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订487个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":11000,"21+":3496,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@75V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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