品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":121654}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":121654}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":7867}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP4302
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":6015,"MI+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03G
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL150N3LLH6
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@16.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP85N03G
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@40A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G45P40T
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3269pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD4NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB4302T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@24V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: