品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:250mW
连续漏极电流:330mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:305mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:250mW
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:305mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":114876}
规格型号(MPN):2N7002VA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:250mW
连续漏极电流:330mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:305mA€190mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
类型:N和P沟道
功率:250mW
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:250mW
连续漏极电流:330mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流:305mA€190mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD5110NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:294mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流:305mA€190mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD5121NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: