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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
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功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
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功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：0.59nC@10V
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输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
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功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
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功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
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输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
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输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
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功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：0.59nC@10V
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输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS55EP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@30V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：5.5Ω@180mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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