采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@16V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3400A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138WQ-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H700S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：510mA
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@5V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
