采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：-1.13A
漏源电压：-30V
导通电阻：200mΩ@-1.95A，-10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N02LT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：750mA
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@1.2A，10V
输入电容：125pF@5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：67862}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
类型：N和P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：1.3A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：-1.13A
漏源电压：-30V
导通电阻：200mΩ@-1.95A，-10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
漏源饱和电流：20mA@5V
包装方式：卷带（TR）
栅源击穿电压：25V
类型：N通道
功率：400mW
输入电容：6pF@5V
栅源截止电压：600mV@100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：1.3A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
栅极电荷：5.5nC@4V
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
输入电容：225pF@5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
漏源饱和电流：20mA@5V
包装方式：卷带（TR）
栅源击穿电压：25V
类型：N通道
功率：400mW
输入电容：6pF@5V
栅源截止电压：600mV@100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：1.3A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：1.3A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
栅极电荷：5.5nC@4V
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
输入电容：225pF@5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：1.3A
漏源电压：8V
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
漏源饱和电流：20mA@5V
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
栅源击穿电压：25V
类型：N通道
功率：400mW
输入电容：6pF@5V
栅源截止电压：600mV@100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
栅极电荷：5.5nC@4V
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
输入电容：225pF@5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.3A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD1155LT1G
功率：400mW
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：1.3A
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
栅极电荷：2.5nC@5V
类型：P沟道
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：165pF@5V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
输入电容：200pF@15V
栅极电荷：10nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.13A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
