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    功率: 1W€2.3W
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订31个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订31个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

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    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

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    栅极电荷:8nC@10V

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    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A€2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

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    栅极电荷:8nC@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

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    ECCN:EAR99

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    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订39个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订39个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订32个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订32个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A€2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A€2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订45个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订45个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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