采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU50P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4260pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2400，"17+"：399，"19+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP50R350CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6834，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4360}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW50R350CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：53700，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4360}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW50R350CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@5.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：960，"21+"：18000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOI296A
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6800，"23+"：7500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOI296A
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD600N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
