采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM13N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM13N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM13N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCM13N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H007LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3224pF@60V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@30A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
