采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000，"15+"：24400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：5000，"15+"：24400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ197PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.9W
连续漏极电流：5.6A
栅极电荷：29.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
输入电容：2760pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.9W
漏源电压：20V
连续漏极电流：11.1A
栅极电荷：59nC@8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.9W
连续漏极电流：5.6A
栅极电荷：29.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
输入电容：2760pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.9W
漏源电压：20V
连续漏极电流：11.1A
栅极电荷：59nC@8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：1.9W
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：11.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
