品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8.4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4963BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":84000,"04+":324000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD5905T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:834pF@10V
连续漏极电流:6.5A€12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:33mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4925BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4963BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4943BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:19mΩ@8.4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4931DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@350µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4925BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:834pF@10V
连续漏极电流:6.5A€12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:33mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:834pF@10V
连续漏极电流:6.5A€12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:33mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@16V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4925BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4963BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: