品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":514,"15+":500,"16+":6000,"17+":3218,"18+":19500,"19+":5500,"9999":350,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:35.4A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP08N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.9V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:35.4A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR692DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@125V
连续漏极电流:24.2A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R280C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@430µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:13.8A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.45V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@10V
连续漏极电流:159A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: