采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：201mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：201mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：201mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD186N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1118pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：201mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2742}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2742}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP260N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R070CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2721pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD180N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@9，5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
