品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2808pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG65N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4498pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":140,"04+":29100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N03-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@24V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R170CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R170CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1199pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":526735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2808pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":498,"22+":236}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":29930,"MI+":2880}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5546,"MI+":2349}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1315pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R170CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2808pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: