采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@600µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：708，"04+"：18895，"05+"：2500，"06+"：2920}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD80N02T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@80A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4059，"03+"：32500，"04+"：10000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
