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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3400，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：735，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：735，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3400，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3400，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：735，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
