采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：24.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8N50NZTM
漏源电压：500V
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
导通电阻：850mΩ@3.25A，10V
类型：N沟道
功率：90W
连续漏极电流：6.5A
输入电容：735pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP14NM50N
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
导通电阻：320mΩ@6A，10V
输入电容：816pF@50V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP14NM50N
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
导通电阻：320mΩ@6A，10V
输入电容：816pF@50V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
