品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
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功率:3.5W€7.8W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
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功率:3.5W€7.8W
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连续漏极电流:46A
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
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ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
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输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
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功率:3.5W€7.8W
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ECCN:EAR99
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
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输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
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功率:3.5W€7.8W
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
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规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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栅极电荷:110nC@10V
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连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
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输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
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功率:3.5W€7.8W
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连续漏极电流:40A
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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栅极电荷:161nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6670pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
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功率:3.5W€7.8W
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栅极电荷:110nC@10V
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
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栅极电荷:161nC@10V
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
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栅极电荷:161nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
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功率:3.5W€7.8W
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ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4560pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:46A
漏源电压:20V
功率:3.5W€7.8W
导通电阻:2mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4630DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:161nC@10V
功率:3.5W€7.8W
输入电容:6670pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
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