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    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 48W
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF13N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL10N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N60CFT 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N60CFT 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N60CFT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:6.26A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@3.13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":358}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF13N50C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N60C 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N60C 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":595,"13+":42512}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL10N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL10N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL10N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N50CF 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF10N50CF 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF10N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2096pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6009KNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6009KNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6009KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:535mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA52DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA52DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7150pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6262E 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订414个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订414个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N60CFT 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N60CFT 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N60CFT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:6.26A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@3.13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订414个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订414个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":25100,"23+":8000,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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