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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN67D8L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：340mW
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连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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功率：340mW
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连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
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输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
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功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1539CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@15V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：388mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN67D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
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栅极电荷：0.82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
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