品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R065S7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@12V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@8A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2582pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R065S7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@12V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@8A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":391}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2582pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R065S7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@12V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@8A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R065S7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@490µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@12V
包装方式:管件
输入电容:1932pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@8A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N65APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1417pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:930mΩ@5.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP16N60
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:260mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP16N60
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:260mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK075N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2582pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM100N06CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4382pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N65APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1417pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:930mΩ@5.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N65APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1417pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:930mΩ@5.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB9N65APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1417pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:930mΩ@5.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: