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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
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功率：2.15W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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输入电容：827pF@20V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：ZXMN6A09KTC
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功率：2.15W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1426pF@30V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@7.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：7.2A
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连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：7.2A
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连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1426pF@30V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@7.3A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.15W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
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功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
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栅极电荷：17.1nC@10V
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连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
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功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
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