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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3094pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
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栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG33N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3454pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3094pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG33N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3454pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3094pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3094pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3094pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP460BPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3094pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3454pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3454pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：散装
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG33N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3454pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60EF-GE3
导通电阻：98mΩ@16.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
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栅极电荷：155nC@10V
漏源电压：600V
输入电容：3454pF@100V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SIHB33N60ET1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
输入电容：3508pF@100V
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：150nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：150nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
