品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:730mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:302pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89141
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:398pF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2510N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: