采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P02FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@610mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：12Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：40mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：2.93nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY300NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61N02FTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@930mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1412，"05+"：6700，"09+"：60，"11+"：692，"12+"：3500，"13+"：7，"17+"：7800，"9999"：1406，"MI+"：9102}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：166pF@40V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：625mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：141pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@600mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
