采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
导通电阻：420mΩ@5A，10V
输入电容：614pF@100V
栅极电荷：16.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
导通电阻：420mΩ@5A，10V
输入电容：614pF@100V
栅极电荷：16.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1240pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP18N65M5
功率：110W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1240pF@100V
漏源电压：650V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：15A
导通电阻：220mΩ@7.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
