采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ025P02HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
