首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度: -55℃~150℃
    功率: 2.7W
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16406Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16406Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16406Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12.5V

    连续漏极电流:19A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订20000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订20000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17304Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17304Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:955pF@15V

    连续漏极电流:15A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16406Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16406Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16406Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12.5V

    连续漏极电流:19A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16406Q3 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16406Q3 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16406Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12.5V

    连续漏极电流:19A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13202Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13202Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@6V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧