采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
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功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
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功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：751pF@10V
连续漏极电流：9.4A€6.8A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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