品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3158,"22+":1403}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:236mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3158,"22+":1403}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1394,"23+":2798,"MI+":2811}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD85100
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@50V
连续漏极电流:10.4A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.9mΩ@10.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD86100
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN20B28KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:358pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4670pF@10V
连续漏极电流:89A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2285}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD86100
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@25V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: