采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
输入电容：1800pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2060pF@50V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1490pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
