采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP50R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@520µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP50R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@520µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"15+"：500，"9999"：485}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI50R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"15+"：500，"9999"：485}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI50R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@520µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：34500，"17+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP50R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@520µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1420pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
