品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1076pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:339mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:10.5A
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIHH11N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:339mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:11A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:10.5A
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:10.5A
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导通电阻:380mΩ@6A,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
功率:114W
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:886pF@100V
导通电阻:380mΩ@6A,10V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.5A
功率:114W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:886pF@100V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: