品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9351TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM2301-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1832}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO350N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@6µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:11.5A€29.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3419
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:10+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:97mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3401A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: