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    功率: 625W
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    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6630pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY100NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STY100NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY100NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9600pF@50V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@49A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

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    包装方式:管件

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    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

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    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6630pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

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    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6630pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

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    输入电容:6630pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6630pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6630pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STY100NM60N 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STY100NM60N 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY100NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9600pF@50V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@49A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT13F120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

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    输入电容:4765pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@7A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN019N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN019N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN019N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@14.3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:282nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15993pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.3mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT18M100B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT18M100B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT18M100B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4845pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT12060LVRG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT12060LVRG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT12060LVRG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@2.5mA

    栅极电荷:650nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@10A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT13F120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4765pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@7A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT42F50B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT42F50B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT42F50B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6810pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@21A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN48N60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN48N60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN48N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5.5V@8mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8860pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT22F80B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT22F80B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT22F80B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4595pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@12A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订510个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDH45N50F-F133 起订510个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH45N50F-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6630pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT14M120B 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT14M120B 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT14M120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4765pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL019N65S3H 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL019N65S3H 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL019N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@14.3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:282nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15993pF@400V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.3mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXFN48N60P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN48N60P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN48N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5.5V@8mA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8860pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STY100NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STY100NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STY100NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9600pF@50V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@49A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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