品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@15V
连续漏极电流:4.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:2W€27W
漏源电压:60V
连续漏极电流:4.4A€16A
输入电容:815pF@15V
导通电阻:50mΩ@8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Comchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMS16N06D-HF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:2W€27W
漏源电压:60V
连续漏极电流:4.4A€16A
输入电容:815pF@15V
导通电阻:50mΩ@8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: