品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@50V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB452DK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存: