品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDNW30N60H3
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:67ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:450µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:76nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:1.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW20N60T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:48ns
反向恢复时间:33.7ns
关断损耗:300µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:52nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,20A
导通损耗:1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT100GN120B2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):300A
关断延迟时间:615ns
关断损耗:9.5mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:540nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:11mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDNW30N60H3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:67ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:450µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:76nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:1.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":30,"15+":260}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB60N60SWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):240A
关断延迟时间:180ns
反向恢复时间:76ns
关断损耗:600µJ
开启延迟时间:87ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:173nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.5V@15V,60A
导通损耗:1.41mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GN120SG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:280ns
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:155nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,25A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1490}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB45N60SWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):180A
关断延迟时间:144ns
反向恢复时间:376ns
关断损耗:550µJ
开启延迟时间:70ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:134nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,45A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":4500,"MI+":1200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB30N60IHLWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:400ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:70ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:130nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,30A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):WG50N65DHWQ
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:163ns
反向恢复时间:105ns
关断损耗:600µJ
开启延迟时间:66ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:160nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
导通损耗:1.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":387,"13+":70,"16+":30,"MI+":4500}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB15N120LWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:165ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:72ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:160nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,15A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW20N60T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:48ns
反向恢复时间:33.7ns
关断损耗:300µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:52nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,20A
导通损耗:1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":414}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH25N120FTDS
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:151ns
反向恢复时间:535ns
关断损耗:1.16mJ
开启延迟时间:26ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:169nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,25A
导通损耗:1.42mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GN120SG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:280ns
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:155nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,25A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDNW30N60H3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:67ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:450µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:76nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:1.85mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW20N60T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:48ns
反向恢复时间:33.7ns
关断损耗:300µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:52nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,20A
导通损耗:1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":8640,"9999":20}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG30N60FLWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:170ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:83ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,30A
导通损耗:700µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):WG50N65DHWQ
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:163ns
反向恢复时间:105ns
关断损耗:600µJ
开启延迟时间:66ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:160nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
导通损耗:1.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":1873}
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB30N60SWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:540µJ
开启延迟时间:57ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:90nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,30A
导通损耗:750µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB30N60SWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:109ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:540µJ
开启延迟时间:57ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:90nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,30A
导通损耗:750µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW20N60T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:48ns
反向恢复时间:33.7ns
关断损耗:300µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:52nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,20A
导通损耗:1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW20N60T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:48ns
反向恢复时间:33.7ns
关断损耗:300µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:52nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,20A
导通损耗:1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGL35N120FTDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):105A
关断延迟时间:172ns
反向恢复时间:337ns
关断损耗:1.7mJ
开启延迟时间:34ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:210nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,35A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):WG50N65DHWQ
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:163ns
反向恢复时间:105ns
关断损耗:600µJ
开启延迟时间:66ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:160nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
导通损耗:1.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTG30N60FLWG
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:170ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:83ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:170nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.9V@15V,30A
导通损耗:700µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"13+":200,"14+":370312,"15+":55650,"MI+":25150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB40N60IHLWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:140ns
反向恢复时间:400ns
关断损耗:400µJ
开启延迟时间:70ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:130nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":387,"13+":70,"16+":30,"MI+":4500}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NGTB15N120LWG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:165ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:72ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:160nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,15A
导通损耗:2.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: