采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
