包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC252N10NSF G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：78W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：19.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ034N04LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.4mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：59nC@10V

输入电容：3.538nF@20V

连续漏极电流：40A

类型：1个P沟道

导通电阻：15mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0921NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：8.9nC€33nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0923NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10nC€18.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.8mΩ€2.1mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：266W

阈值电压：4V@3.9mA

栅极电荷：80nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.75nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0921NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：8.9nC€33nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0904NSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：266W

阈值电压：4V@3.9mA

栅极电荷：80nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.75nF@400V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@10V，20A

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0924NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10nC€12.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.8mΩ€2.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：18900}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0909LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：2.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：26W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC252N10NSF G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：78W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：19.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPF40N25

工作温度：-55℃~+150℃

功率：310W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：3.7nF@25V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

反向传输电容：2.5pF@25V

导通电阻：65mΩ@10V，20A

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPF40N25

工作温度：-55℃~+150℃

功率：310W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：3.7nF@25V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

反向传输电容：2.5pF@25V

导通电阻：65mΩ@10V，20A

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1