品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6013VND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:6.5V
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:300mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6013VND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:6.5V
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:300mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6013VND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:6.5V
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:300mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6013VND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:6.5V
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:300mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6013VND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:6.5V
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:300mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6013VND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:6.5V
栅极电荷:21nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:300mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1712}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1712}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1712}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1712}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:16.8nC@10V
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: