品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
功率:980mW
连续漏极电流:19.8A€50A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:46nC@10V
类型:1个P沟道
输入电容:2.38nF@15V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
功率:980mW
连续漏极电流:19.8A€50A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:46nC@10V
类型:1个P沟道
输入电容:2.38nF@15V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G400P06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.506nF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G400P06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.506nF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ
漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:980mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.38nF@15V
连续漏极电流:19.8A€50A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G400P06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.506nF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ
漏源电压:60V
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