品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:670mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56.8W€4.5W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.48nF@15V
连续漏极电流:125A€35A
类型:2个N沟道
导通电阻:2.43mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:236mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.574nF@25V
连续漏极电流:40A€7A
类型:2个N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSDQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.56nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2322A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UDJ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:380pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.6pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9854_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.04nF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2个N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: