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    行业应用: 工业
    漏源电压: 20V
    阈值电压: 1.2V@250μA
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订50个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订50个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 2302 起订469个装
    MOT Mosfet场效应管 2302 起订469个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2302

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4nC@4.5V

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:80pF@10V

    导通电阻:55mΩ@4.5V,3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412_R1_00001 起订40个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412_R1_00001 起订40个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@1.8V,1.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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