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    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 工业
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL19N60M6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL19N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:308mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6018JNJGTL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6018JNJGTL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1736

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6018JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:220W

    阈值电压:7V@4.2mA

    栅极电荷:42nC@15V

    输入电容:1.3nF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:286mΩ@15V,9A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R190E6FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R190E6FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R190E6FKSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:151W

    阈值电压:3.5V@630μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.4nF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3569(STA4,X,M) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3569(STA4,X,M) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:180pF@25V

    导通电阻:540mΩ@10V,5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:252W

    阈值电压:7V@3.5mA

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.5nF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD12N60DM6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N60DM6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:508pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60FTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:95pF@25V

    导通电阻:150mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6007JND3TL1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6007JND3TL1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6007JND3TL1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:96W

    阈值电压:7V@1mA

    栅极电荷:17.5nC@15V

    输入电容:475pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:780mΩ@3.5A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250μA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R190P6 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R190P6 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R190P6

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:151W

    阈值电压:4.5V@630μA

    栅极电荷:37nC@10V

    输入电容:1.75nF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH072N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:481W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:215nC@10V

    输入电容:8.66nF@100V

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ@10V,26A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH072N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH072N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:481W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:215nC@10V

    输入电容:8.66nF@100V

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ@10V,26A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH240N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:783pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004JNJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:60W

    阈值电压:7V@450μA

    栅极电荷:10.5nC@15V

    输入电容:260pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020JNJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:252W

    阈值电压:7V@3.5mA

    栅极电荷:45nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.5nF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:234mΩ@10A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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