品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
输入电容:727pF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:7.6nC@4.5V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V
栅极电荷:37.5nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:MOSFET
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:52mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:52mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19.6nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
连续漏极电流:5.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2160UFDB-7
阈值电压:900mV@250μA
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:536pF@10V
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:2个P沟道
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@4.5V,2.8A
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1029UFDB-7
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@6V
栅极电荷:19.6nC@8V
类型:2个N沟道
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存: